发明名称 一种带接地外屏蔽的高电压锥形绝缘结构
摘要 本发明涉及一种带外屏蔽的高电压锥形绝缘子结构,其特征在于:在输出线内筒与输出线外筒之间设有绝缘子锥段,绝缘子锥段通过绝缘子低压段与二极管外筒连接,绝缘子锥段通过绝缘子高压段与输出线内筒连接;绝缘子高压段与高压屏蔽环连接;输出线外筒包含第一接地屏蔽环,第二接地端屏蔽环与二极管外筒连接。优点在于:接地屏蔽环结构降低锥形绝缘子低压侧的场强,改善绝缘子低压段的内部场强和真空界面的沿面闪洛;真空绝缘锥面具有高压侧场强小、低压侧场强大的特点,锥面与轴线成约30度角时,电力线与锥面呈45度角,闪洛阈值低,真空沿面场强小于60kV/cm。
申请公布号 CN102810362B 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201210246311.7 申请日期 2012.07.17
申请人 西北核技术研究所 发明人 潘亚峰;彭建昌;朱晓欣;宋晓欣;秋实
分类号 H01B17/00(2006.01)I;H01B17/42(2006.01)I 主分类号 H01B17/00(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种带接地外屏蔽的高电压锥形绝缘子结构,其特征在于包括绝缘子低压段(5)、第一接地端屏蔽环(3)、第二接地端屏蔽环(6)、绝缘子锥段(7)和绝缘子高压段(8);在输出线内筒与输出线外筒之间设有绝缘子锥段(7),绝缘子锥段(7)与输出线内筒的轴线形成30°夹角;绝缘子锥段(7)通过绝缘子低压段(5)与二极管外筒连接,且由与绝缘子低压段(5)连接点向二极管外筒连接点过渡的半径为外筒半径的0.29倍;绝缘子锥段(7)通过绝缘子高压段(8)与输出线内筒连接;绝缘子高压段(8)与高压屏蔽环(9)连接;在与绝缘子低压段(5)平板段距离为d的部位设有第二接地端屏蔽环(6),与二极管外筒相切且电连接,其半径为外筒半径的0.29倍;所述距离d为外筒半径的0.26倍。
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