发明名称 | 互连中铜表面处理的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种互连中铜表面处理的方法,循环的执行通过选择性铝沉积在铜互连线表面形成铝盖层和在还原性气体氛围下使用等离子束处理铝盖层两个步骤,将铝原子逐步溶入铜互连线表面以在铜互连线表面形成铜铝合金盖层,由于铜铝合金盖层的迁移率小于铝盖层,因此在防止铜原子扩散的同时也抑制了互连线电迁移导致的半导体器件失效问题。 | ||
申请公布号 | CN103779269A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
申请号 | CN201210414645.0 | 申请日期 | 2012.10.26 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 平延磊;鲍宇 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
主权项 | 一种互连中铜表面处理的方法,包括:步骤A:提供具有铜互连线的互连结构;步骤B:在铜互连线表面使用前驱物进行选择性沉积铝,以在铜互连线表面形成铝盖层;步骤C:在还原性气体氛围下使用等离子束处理或热处理所述铝盖层;步骤D:循环步骤B和步骤C至预定次数,以在所述铜互连线表面形成铜铝合金盖层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |