| 发明名称 | 一种带场板的射频功率LDMOS器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种带场板的射频功率LDMOS器件及其制备方法，包括源极、栅极、漏极，以及硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，场板，LDD区域，所述LDD区域为漂移区。优选地，本发明结合SFP技术。在相同注入计量条件下，本发明的LDMOS器件减小了栅漏电容，从而可以在减小器件导通电阻的同时，优化了器件的高频特性，具有广阔的市场前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103762238A | 申请公布日期 | 2014.04.30 |
| 申请号 | CN201310754477.4 | 申请日期 | 2013.12.31 |
| 申请人 | 上海联星电子有限公司 | 发明人 | 杜寰;朱喜福 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 一种带场板的射频功率LDMOS器件，包括源极、栅极、漏极，其特征在于，还包括以下结构：硅型衬底，P‑epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，场板（Field Plate），LDD区域，所述LDD区域为漂移区。 | ||
| 地址 | 200136 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室 | ||