发明名称 抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线
摘要 本发明公开了一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,包括真空腔室区,所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室;相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门,第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区,第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴,基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动;基片载具传送轴上对称设置有两个基片载具传动轮,靠近真空腔室区内壁两侧对称设置有基片载具导向轮。
申请公布号 CN103741111A 申请公布日期 2014.04.23
申请号 CN201410033240.1 申请日期 2014.01.24
申请人 赫得纳米科技(昆山)有限公司 发明人 万志
分类号 C23C14/56(2006.01)I 主分类号 C23C14/56(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 董建林
主权项 一种抗反射导电ITO膜连续镀膜生产线,其特征在于:包括真空腔室区,所述真空腔室区包括依次排列相连通的第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室;所述第一预初轴腔室、第一过渡腔室、第一介质膜镀膜腔室、第二介质膜镀膜腔室、第一隔离腔室、第二隔离腔室、第一导电膜镀膜腔室、第二导电膜镀膜腔室、第二过渡腔室、第二预初轴腔室相邻腔室之间均设置有可开启或关闭的隔离门,所述第一预初轴腔室入片口处设置上片升降区,所述第二预初轴腔室出片口处设置下片升降区;真空腔室区内部设置贯穿连续的多个基片载具传送轴,所述基片载具传送轴一端穿过真空腔室壁与伺服传动马达相接驱动。
地址 215300 江苏省苏州市昆山高科技工业园都市路21号