发明名称 Lichtemissionsvorrichtung
摘要 Geschaffen wird eine Lichtemissionsvorrichtung, bei der Abweichung der Luminanz von Pixeln verhindert wird. Eine Lichtemissionsvorrichtung enthält wenigstens einen Transistor, eine erste Verdrahtung, eine zweite Verdrahtung, einen ersten Schalter, einen zweiten Schalter, einen dritten Schalter, einen vierten Schalter, einen Kondensator und ein lichtemittierendes Element. Die erste Verdrahtung und eine erste Elektrode des Kondensators sind über den ersten Schalter elektrisch miteinander verbunden. Eine zweite Elektrode des Kondensators ist mit einem ersten Anschluss des Transistors verbunden. Die zweite Verdrahtung und ein Gate des Transistors sind über den zweiten Schalter elektrisch miteinander verbunden. Die erste Elektrode des Kondensators und das Gate des Transistors sind über den dritten Schalter elektrisch miteinander verbunden. Der erste Anschluss des Transistors und eine Anode des lichtemittierenden Elementes sind über den vierten Schalter elektrisch miteinander verbunden.
申请公布号 DE112012003074(T5) 申请公布日期 2014.04.10
申请号 DE20121103074T 申请日期 2012.06.28
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 INOUE, SEIKO;MIYAKE, HIROYUKI
分类号 G09G3/30;G09G3/20 主分类号 G09G3/30
代理机构 代理人
主权项
地址