发明名称 | 具有高稳定性的能隙基准电流电路结构 | ||
摘要 | 本发明涉及一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构,所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管和第二NPN三极管,第一NPN三极管和第二NPN三极管的集电极电阻Rc的阻值为集电极与基极间阻值Rcb的90至110倍,从而在电路基本结构及工艺条件不变的前提下,有效降低了NPN三极管的集电极电阻Rc,从而能够减小NPN三极管饱和压降的影响,进而保证能隙基准电流的稳定性,且本发明的具有高稳定性的能隙基准电流电路结构简单,实现成本低廉,应用范围也较为广泛。 | ||
申请公布号 | CN103699171A | 申请公布日期 | 2014.04.02 |
申请号 | CN201210369275.3 | 申请日期 | 2012.09.27 |
申请人 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 发明人 | 袁巍;黄历朝;刘冰;张勤 |
分类号 | G05F3/26(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/26(2006.01)I |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
主权项 | 一种具有高稳定性的能隙基准电流电路结构,所述的电路结构包括组成镜像恒流源的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2),所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)为相同的三极管元件,所述的第一NPN三极管(Q1)的基极连接所述的第二NPN三极管(Q2)的基极,所述的第一NPN三极管(Q1)的基极还连接第一NPN三极管(Q1)的集电极,所述的第一NPN三极管(Q1)的集电极连接电源,所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)的发射极均接地,所述的第二NPN三极管(Q2)的集电极为恒流源输出端,其特征在于,所述的第一NPN三极管(Q1)和第二NPN三极管(Q2)的集电极电阻(Rc)的阻值为集电极与基极间阻值(Rcb)的90至110倍。 | ||
地址 | 214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22 |