一种结型场效应管结构

摘要

本发明公开一种结型场效应管结构，包括一漏极、一源极、一衬底及一深注入N阱层，还包括电性连接在一起的前栅极和后栅极，前栅极为设置在漏极和源极间的P型栅极，且前栅极一端和漏极间设置有多晶硅场板和场氧化层，后栅极为设置在源极远离漏极一侧的P型栅极；前栅极包含有前栅极P注入层，后栅极包含有后栅极P注入层、后栅极P阱层，且该前、后栅极P注入层的结深远深于源极的结深，后栅极P阱层的结深深于所述后栅极P注入层。本发明的一种结型场效应管结构是一种无需增加任何高压工艺层次，却可以实现夹断电压随应用需求很方便调整的器件结构，同时在后栅极有结深更深的P阱层保护，进一步实现了耐压的提高，非常适用于高压CDMOS,BCD工艺平台的集成。

主权项

一种结型场效应管结构，其特征在于：包括一漏极、一源极、一衬底及一深注入N阱层，还包括电性连接在一起的前栅极和后栅极，前栅极为设置在漏极和源极间的P型栅极，且前栅极一端和漏极间设置有多晶硅场板和场氧化层，后栅极为设置在源极远离漏极一侧的P型栅极；前栅极包含有前栅极P注入层，后栅极包含有后栅极P注入层、后栅极P阱层，且该前、后栅极P注入层的结深远深于所述源极的结深，所述后栅极P阱层的结深深于所述后栅极P注入层。