一种发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管及其制造方法，先于半导体衬底表面形成发光外延层及透明导电层，并对该透明导电层进行退火；然后刻蚀出N电极制备区域，并在所述透明导电层欲制备P电极的区域形成一刻蚀窗口；接着于所述刻蚀窗口制作反射镜；最后制作P电极，使该P电极覆盖所述反射镜表面并与所述透明导电层形成欧姆接触接触，并于所述N电极制备区域制备N电极。本发明具有以下有益效果：在P电极下制备高反射层，使得发光区所产生的光子，几乎全部反射回去，很少被P电极吸收，从而提高LED芯片的出光效率。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）于所述P型层表面蒸镀或溅射透明导电层，并对该透明导电层进行退火；3）刻蚀所述透明导电层、P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；4）刻蚀所述透明导电层，以在欲制备P电极的区域形成一直至所述P型层的刻蚀窗口；5）于所述刻蚀窗口制作反射镜；6）制作P电极，使该P电极覆盖所述反射镜表面并与所述透明导电层形成欧姆接触接触，并于所述N电极制备区域制备N电极。