具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法

摘要

具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法包括：在硅衬底中形成开口，在开口的侧壁和底部上形成第一绝缘层，在开口的侧壁和底部上形成第二绝缘层。第一绝缘层和硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。第二绝缘层和导电层之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。

主权项

一种具有硅通孔的器件，包括：硅衬底；硅通孔结构，穿透所述硅衬底；以及绝缘结构，形成在所述硅衬底和所述硅通孔结构之间，其中，在所述绝缘结构和所述硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，以及所述绝缘结构和所述硅通孔结构之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度，其中，所述绝缘结构包括与所述硅衬底相邻的第一绝缘层以及与所述硅通孔结构相邻的第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第三界面具有大于10nm的峰谷高度的界面粗糙度。