发明名称 TM偏振石墨烯纳米带阵列传感器
摘要 一种用于红外波段的TM偏振石墨烯纳米带阵列传感器,该传感器的顶部石墨烯纳米带阵列的周期和占空比分别为245~255纳米和0.45~0.55,费米能级为0.65~0.75eV。当红外波段的TM偏振光垂直入射时,其对气体(折射率变化范围为1.0-1.05)的灵敏度高于2520nm/RIU,品质因子大于6.25,其对水环境中的低折射率材料(折射率变化范围为1.30-1.35)的灵敏度高于2920nm/RIU,品质因子大于6.27。通过采用不同的费米能级,该传感器可以同时用于探测气体和水环境中的低折射率材料。本发明由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成,取材方便,造价小,能大批量生产,具有重要的实用前景。
申请公布号 CN103674880A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310511928.1 申请日期 2013.10.25
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 吴俊;周常河;曹红超;李树斌
分类号 G01N21/3504(2014.01)I;G01N21/3577(2014.01)I 主分类号 G01N21/3504(2014.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 张泽纯
主权项 一种用于红外波段的TM偏振石墨烯纳米带阵列传感器,其特征在于该传感器的顶部石墨烯纳米带阵列的周期为245~255纳米和占空比为0.45~0.55,费米能级为0.65~0.75eV。
地址 201800 上海市嘉定区800-211邮政信箱