发明名称 |
晶体管及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶体管及其形成方法,所述形成方法包括:在半导体衬底上形成第一应力层;在第一应力层上形成栅极结构,所述栅极结构包括位于所述第一应力层上的第一栅极;去除所述第一栅极以露出所述第一应力层;图形化所述第一应力层,以形成贯穿所述第一应力层的第一开口;向所述第一开口中填充第二应力层材料,直至第二应力层的材料与第一应力层齐平,以形成第二应力层;在所述第二应力层上形成第二栅极。相应地,本发明还提供一种所述的晶体管的形成方法所形成的晶体管。本发明能提高晶体管中电子迁移率,提高晶体管性能。 |
申请公布号 |
CN103681345A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210365187.6 |
申请日期 |
2012.09.26 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
赵猛 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:在半导体衬底上形成第一应力层;在第一应力层上形成栅极结构,所述栅极结构包括位于所述第一应力层上的第一栅极;去除所述第一栅极以露出所述第一应力层;图形化所述第一应力层,以形成贯穿所述第一应力层的第一开口;向所述第一开口中填充第二应力层材料,直至第二应力层的材料与第一应力层齐平,以形成第二应力层;在所述第二应力层上形成第二栅极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |