| 发明名称 | 多次可编程半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。依照本发明的多次可编程半导体器件及其制造方法，利用衬底注入区来形成FinFET的编程/擦除栅，简化了器件结构，并缩减了制造工序，提高了器件的集成密度，适用于多次可编程存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN103681800A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210326597.X | 申请日期 | 2012.09.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||