发明名称 |
蚀刻溶液,用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液,用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法,其中所述压电薄膜具有在形成于衬底(substrate)上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜,并且在薄膜与所述下部电极的界面上具有烧绿石层,其中所述蚀刻溶液至少包含:包含缓冲氢氟酸(BHF)、氟化氢(HF)以及稀释的氢氟酸(DHF)这三个中至少任一个的氢氟酸型化学制品;以及硝酸,并且具有按重量计小于10%的盐酸浓度以及为1/4或更小的盐酸与硝酸的重量比(盐酸/硝酸)。本发明还提供了一种制造压电元件的方法以使用蚀刻溶液执行蚀刻。 |
申请公布号 |
CN103666477A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310439370.0 |
申请日期 |
2013.09.24 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
藤井隆满;向山明博 |
分类号 |
C09K13/08(2006.01)I;H01L41/27(2013.01)I;H01L41/332(2013.01)I;C23F1/16(2006.01)I |
主分类号 |
C09K13/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液,其中所述压电薄膜具有在形成于衬底上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜以及在所述压电薄膜与所述下部电极的界面上的烧绿石层,所述蚀刻溶液至少包含:包含缓冲氢氟酸、氟化氢以及稀释的氢氟酸这三个中至少任一个的氢氟酸型化学制品;以及硝酸,且其中盐酸的浓度按重量计小于10%,并且所述盐酸与所述硝酸的重量比为1/4或更小。 |
地址 |
日本东京港区西麻布二丁目26番30号 |