| 发明名称 | 化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤：使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102362339B | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201080012699.3 | 申请日期 | 2010.07.27 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 稻井诚一郎;大川佳英;田中勇;山田光一郎 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L27/142(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种化合物半导体的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：使包含I‑B族元素及III‑B族元素中至少一方金属元素的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤；使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤；以及对该皮膜进行热处理的步骤；所述I‑B族元素为Cu，所述III‑B族元素为In和Ga两方或者In。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||