在扩散区域上提供栅极接触的集成电路及其制造方法

摘要

本发明涉及一种在扩散区域上提供栅极接触的集成电路及其制造方法。一种形成集成电路的方法，其在衬底的扩散区域上提供栅极电极。源极电极是藉由源极局部互连导体而提供的且漏极电极是藉由漏极局部互连导体而提供的。绝缘体层是形成在这些电极上且各自的电极开口是穿过绝缘体层形成以便提供至金属层的电连接。用于电极开口的蚀刻工艺受控制使得最大蚀刻深度不足以贯穿绝缘层而由此使在扩散区域与栅极电极间设置的栅极绝缘体层短路。因此，栅极开口可定位在扩散区域上。跟随有用于栅极开口及源极/漏极开口的分开的蚀刻步骤的双图案化，可用以控制栅极开口深度且允许栅极接触定位于该扩散区域之上。

主权项

一种制造集成电路的方法，所述方法包含以下步骤： 在半导体衬底的扩散区域上形成栅极电极和至少一个局部互连导体，所述栅极电极藉由栅极绝缘体层与所述扩散区域隔开，每个局部互连导体分别形成源极电极及漏极电极之一； 在所述扩散区域、所述栅极电极及所述至少一个局部互连导体上沉积上绝缘体层； 穿过所述上绝缘体层，蚀刻至少一个电极开口以及栅极开口，所述至少一个电极开口到达所述局部互连导体之一的上表面，所述栅极开口位于所述扩散区域之上并且至少到达所述栅极电极的上表面，所述栅极开口的蚀刻使用参数使得即使在所述栅极开口和所述栅极电极的上表面之间存在错位，所述栅极开口也具有不足以到达所述扩散区域的最大深度；及 沉积电极连接导体进入至所述至少一个电极开口的每个中并且沉积栅极连接导体进入至所述栅极开口中。