发明名称 固态成像装置和电子装置
摘要 本发明提供固态成像装置和电子装置。该固态成像装置和包括固态成像装置的电子装置防止光电转换区因长波光通过固态成像装置的表面下部分而位移。该装置包括具有第一导电类型的上层的光电二极管,第一导电类型的上层形成在具有第二导电类型的积聚区域的第二层上。上层是光电二极管的光接收部。包括多级元件隔离层,多级元件隔离层包括且具有多层的第一导电类型,从而多级的第一级的第一侧面相邻于积聚部,并且多级层的第二级与第二导电类型的中间部分的积聚区域隔开宽度W。
申请公布号 CN101950752B 申请公布日期 2014.03.19
申请号 CN201010224149.X 申请日期 2010.07.06
申请人 索尼公司 发明人 藤泽薰;饭塚哲也;佐藤公彦
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种固态成像装置,包括:光电二极管,具有第一导电类型的上层,所述第一导电类型的上层形成在具有第二导电类型的积聚区域的第二层上,所述上层具有所述光电二极管的所述光接收表面;多级元件隔离层,包括所述第一导电类型的上下叠置的多个层,像素电极,形成在关于所述光电二极管的所述光接收表面的中心与所述多个层的结构相对的一侧,其中所述多级层的第一级的第一侧面邻接所述积聚部,并且所述多级层的第二级与所述积聚区域由第二导电类型的中间部分隔开宽度W,所述中间部分的宽度W足够宽,以使所述固态成像装置的光电转换区的中心S在所述长波光通过所述像素电极时相对于所述光电二极管的光接收部的中心保持居中。
地址 日本东京都