发明名称 | 用于片上系统的衬底偏置控制电路 | ||
摘要 | 种衬底偏置控制电路包括响应PVT效应的工艺电压温度(PVT)效应传感器。PVT效应计量器与PVT效应传感器相连接。PVT效应计量器将PVT效应进行量化并且提供输出。PVT效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计数器提供时间周期。偏置控制器与PVT效应计量器相连接,偏置控制器配置为接受PVT效应计量器的输出。偏置控制器配置为提供偏置电压。偏置控制器包括偏置电压比较器。 | ||
申请公布号 | CN102043415B | 申请公布日期 | 2014.03.12 |
申请号 | CN201010527867.4 | 申请日期 | 2010.10.22 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 汲世安;沈学聪;李芷岩;李云汉 |
分类号 | G05F1/10(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;熊须远 |
主权项 | 一种衬底偏置控制电路,包括:PVT(工艺电压温度)效应传感器,用于响应PVT效应;PVT效应计量器,与所述PVT效应传感器相连接,用于量化所述PVT效应以提供输出,所述PVT效应计量器包括:至少一个计数器,以及周期信号发生器,用于为所述至少一个计数器提供时间周期;以及偏置控制器,配置为接收所述PVT效应计量器的输出并提供第一偏置电压,所述偏置控制器包括第一偏置电压比较器,所述第一偏置电压比较器配置为将从所述PVT效应计量器接收到的输出与第一阈值进行比较,所述偏置控制器配置为当所述输出高于所述第一阈值时增加所述第一偏置电压。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |