制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法

摘要

了减少存在活性氢时多层系统的最上层中的起泡和分裂以及碎裂的趋势，提出了一种制造用于EUV光刻的反射光学元件(50)的方法，该元件在位于5nm至20nm范围内的工作波长下具有最大反射率，该方法包括以下步骤：将多层系统(51)施加至基板(52)，该多层系统由一个布置在另一个上方的三十个至六十个层堆(53)构成，其中各个层堆具有厚度为dMLs的、由在工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层(54)和厚度为dMLa的、由在工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层(55)，其中厚度比为dMLa/(dMLa+dMLs)=ΓML；将一个、两个、三个、四个或五个另外的层堆(56)施加至多层系统，所述至少一个另外的层堆具有厚度为ds的、由在工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层(54)和厚度为da的、由在工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层(55)，其中厚度比为da/(da+ds)=Γ且其中Γ≠ΓML。

主权项

一种制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法，所述反射光学元件在位于5nm至20nm范围内的工作波长下具有最大反射率，所述方法包含以下步骤：‑将多层系统施加至基板，该多层系统由一个布置在另一个上方的三十个至六十个层堆构成，其中每个层堆具有厚度为dMLs的、由在所述工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层以及厚度为dMLa的、由在所述工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层，其中厚度比为dMLa/(dMLa+dMLs)=ΓML，‑将一个、两个、三个、四个或五个另外的层堆施加至所述多层系统，所述至少一个另外的层堆具有厚度为ds的、由在所述工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层以及厚度为da的、由在所述工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层，其中厚度比为da/(da+ds)=Γ且其中Γ≠ΓML。