发明名称 半导体加工用划片胶带
摘要 本发明的目的在于提供一种半导体加工用划片胶带,其在将半导体晶片进行划片处理的工序中具有充分保持晶片的粘合力,且在封装体划片后,不会发生被单片化的封装体贴合至托盘或装置等。本发明提供一种半导体加工用划片胶带,其特征在于,在基材薄膜的至少一面,形成有放射线固化型粘合剂层;上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成;上述粘合剂层的厚度为10~30μm;上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JISZ0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0~2.0N/25mm胶带宽度;并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50~150mN/mm2。
申请公布号 CN103620743A 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201280028334.9 申请日期 2012.10.22
申请人 古河电气工业株式会社 发明人 阿久津晃
分类号 H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;C09J133/08(2006.01)I 主分类号 H01L21/301(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 刘宗杰;巩克栋
主权项 一种半导体加工用划片胶带,其特征在于,其在将半导体封装体划片的工序中进行使用;在基材薄膜的至少一面,形成有放射线固化型粘合剂层;上述粘合剂层由含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的树脂组合物构成;上述粘合剂层的厚度为10~30μm;上述粘合剂层在进行90°剥离试验时相对于根据JIS Z0237的SUS304的放射线照射后的粘合力为1.0~2.0N/25mm胶带宽度;并且上述粘合剂层在大气气氛条件下放射线照射后的探头粘着性峰强度为50~150mN/mm2。
地址 日本东京都