发明名称 | 硅平面二极管阵列 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种硅平面二极管阵列包括基板和二极管阵列,将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。该硅平面二极管阵列,结构简单,二极管阵列塑封在金属陶瓷管内确保其电气特性不受影响,还设有涂层可以清楚显示二极管阵列工作参数,方便正确使用。 | ||
申请公布号 | CN203445116U | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
申请号 | CN201320515408.3 | 申请日期 | 2013.08.23 |
申请人 | 沈阳飞达电子有限公司 | 发明人 | 吴炳刚 |
分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L27/102(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种硅平面二极管阵列,其特征在于,包括基板和二极管阵列,将二极管阵列塑封在金属陶瓷管内通过粘结层将二极管阵列粘接在基板上。 | ||
地址 | 110032 辽宁省沈阳市皇姑区鸭绿江街49-1号 |