| 发明名称 | 10560纳米带通红外滤光片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种10560纳米带通红外滤光片及其制作方法，采用尺寸为Φ25.4×0.5mm的单晶锗Ge作基板；其表面光圈N≤5，局部光圈ΔN≤0.5，平行度θ≤1’；镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge，在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜：Sub|HLHLH2LHLHLHLHLH2LHLHL|Air和干涉截止膜系面薄膜：Sub|0.76(0.5HL0.5H)50.5(0.5HL0.5H)50.35(0.5HL0.5H)50.25(0.5HL0.5H)60.16(0.5HL0.5H)6|Air。本发明方法得到的10560纳米带通红外滤光片，峰值透过率可达90%以上，极大的提高信噪比。 | ||
| 申请公布号 | CN102590918B | 申请公布日期 | 2014.02.19 |
| 申请号 | CN201210063888.4 | 申请日期 | 2012.03.12 |
| 申请人 | 杭州麦乐克电子科技有限公司 | 发明人 | 吕晶 |
| 分类号 | G02B5/28(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波市鄞州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人 | 唐迅 |
| 主权项 | 一种10560纳米带通红外滤光片，其特征是：(1)采用尺寸为Φ25.4×0.5mm的单晶锗Ge作基板；其表面光圈N≤5，局部光圈ΔN≤0.5，平行度θ≤1’；表面光洁度优于60/40；(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge，在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜，所述多层干涉薄膜符合下述第3结构特征：(3)主膜系面薄膜结构采用Sub|HLHLH2LHLHLHLHLH2LHLHL|Air；干涉截止膜系面薄膜采用以下结构：Sub|0.76(0.5HL0.5H)5 0.5(0.5HL0.5H)5 0.35(0.5HL 0.5H)5 0.25(0.5HL 0.5H)6 0.16(0.5HL 0.5H)6|Air膜系中符号含义分别为：Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4硫化锌膜层、λc＝10560纳米、结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指数是膜堆镀膜的周期数。 | ||
| 地址 | 310000 浙江省杭州市西湖高新园区（杭州麦乐克电子科技有限公司） | ||