| 摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest struktura detektora promieniowania ultrafioletowego (UV) oraz sposób wykonania struktury detektora UV. Struktura ma podloze, na którym znajduje sie warstwa aktywna ZnO z kontaktami metalicznymi. W strukturze tej warstwa aktywna jest warstwa o grubosci co najmniej 50nm zawierajaca nanoslupki ZnO osadzone na warstwie metalicznej. Sposób wykonania struktury detektora polega na tym, ze na pólprzewodnikowym podlozu wytwarza sie warstwe aktywna a na niej metaliczne kontakty. Dla wytworzenia warstwy aktywnej, najpierw na podlozu, korzystnie krzemowym osadza sie metaliczna warstwe zarodkujaca wzrost, nastepnie podloze wraz z warstwa zarodkujaca, umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o wartosci pH 6,5-12, przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, pózniej zanurzone w mieszaninie reakcyjnej podloze podgrzewa sie do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minute prowadzi sie wzrost nanoslupków ZnO, a po zakonczeniu wzrostu usuwa sie z podloza i warstwy aktywnej zanieczyszczenia oraz wykonuje sie kontakty metaliczne. |
