| 发明名称 | 钼靶材的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种钼靶材的制作方法，包括：提供钼粉末；采用静压工艺将钼粉末进行第一次致密化处理，形成第一钼靶材坯料；将第一钼靶材坯料放入包套并抽真空；采用冷等静压工艺将包套内的第一钼靶材坯料进行第二次致密化处理，形成第二钼靶材坯料；第二次致密化处理后，去除包套，采用感应烧结工艺将第二钼靶材坯料进行第三次致密化处理，形成第三钼靶材坯料；第三次致密化处理后，采用热轧工艺将第三钼靶材坯料进行轧制，形成第四钼靶材坯料；热轧工艺后，对第四钼靶材坯料进行退火处理形成钼靶材。采用本发明提供的钼靶材的制作方法，能够制作出全致密度钼靶材，钼靶材的内部组织结构的均匀性和晶粒尺寸、纯度和表面尺寸满足要求越来越高的溅射工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN103567445A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210260409.8 | 申请日期 | 2012.07.25 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 |
| 分类号 | B22F3/16(2006.01)I;C22F1/18(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | B22F3/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种钼靶材的制作方法，其特征在于，包括：提供钼粉末；采用静压工艺将钼粉末进行第一次致密化处理，形成第一钼靶材坯料；将所述第一钼靶材坯料放入包套并抽真空；采用冷等静压工艺将包套内的第一钼靶材坯料进行第二次致密化处理，形成第二钼靶材坯料；第二次致密化处理后，去除包套，采用感应烧结工艺将所述第二钼靶材坯料进行第三次致密化处理，形成第三钼靶材坯料；第三次致密化处理后，采用热轧工艺将所述第三钼靶材坯料进行轧制，形成第四钼靶材坯料；热轧工艺后，对第四钼靶材坯料进行退火处理形成钼靶材。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 | ||