发明名称 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法
摘要 本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法。该方法在微纳加工工艺的基础上,采用体硅加工技术制作可变光衰减器的固定挡光板和活动挡光板,通过在固定挡光板、活动挡光板上淀积挡光材料,起到对光束的遮挡限制作用;固定挡光板上制作通光孔,用于约束光斑大小,限制光的衍射作用;通过光刻、刻蚀等工艺制作可变光衰减器的活动挡光板,使活动挡光板能够在外加驱动力的作用下线性运动,通过控制活动挡光板位置,实现对传输光能量的精确调节;最后通过圆片级键合,集成可变光衰减器固定挡光板和活动挡光板,实现对传输光能量的可控调节。上述方法采用常规的微纳加工方法,工艺成熟可靠,制作精度高,可大大降低成本,适用于规模化生产。
申请公布号 CN103576242A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310511425.4 申请日期 2013.10.25
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 毛旭;魏伟伟;吕兴东;杨晋玲;杨富华
分类号 G02B6/26(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 主分类号 G02B6/26(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法,该方法包括固定挡光板和活动挡光板的制作、固定挡光板和活动挡光板的键合;其中,固定挡光板的制作包括:在基片I的正面光刻、刻蚀形成凹槽结构;基片I的背面刻蚀形成通光孔,所述通光孔和凹槽结构相连通;基片I的正面淀积挡光材料,形成遮光层,完成固定挡光板的制作;所述活动挡光板的制作包括:基片II的双面淀积介质薄膜;刻蚀基片II背面的介质薄膜,形成刻蚀孔;基片II的正面淀积挡光材料,并刻蚀挡光材料,形成挡光结构及导线图形;根据所述挡光结构及导线图形依次刻蚀介质薄膜及基片Ⅱ正面,形成活动挡光板弹性结构;基片II的背面的刻蚀孔处进行湿法腐蚀,形成凹槽结构;刻蚀所述凹槽结构底部形成通光孔,使活动挡光板弹性结构悬空,完成活动挡光板的制作;所述固定挡光板和活动挡光板的键合包括:分别在制作好的固定挡光板结构的基片I背面和活动挡光板结构的基片Ⅱ正面淀积键合材料,通过光刻、刻蚀工艺形成键合结构,对基片I和基片Ⅱ进行对准,使固定挡光板上的通光孔正对活动挡光板的通光孔,然后在一定的键合温度、压强下进行键合,完成可变光衰减器的制作。
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