一种金铝双金属键合转接方法

摘要

本发明提供一种金铝双金属键合转接方法，其中转接结构的制作流程包括真空镀膜、光刻蚀、电镀金层、光刻局部电镀窗口、电镀镍层工序。真空镀膜工序用于将基片上制作种子层；光刻蚀工序用于将传输线及键合焊盘图形制作出来；电镀金层工序用于将传输线图形电镀加厚到需要的厚度；光刻局部电镀窗口工序用于将键合焊盘处开出窗口，其余部分用光刻胶保护，以便后道工序在窗口处电镀键合转接层；电镀镍层工序用于电镀镍转接层。采用上述方案，解决了铝焊盘MMIC芯片与金导带电路之间键合互联容易失效的问题，可大大提高混合集成电路的可靠性。

主权项

一种金铝双金属键合转接方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在电路基板的正面溅射种子层；步骤二：在溅射种子层上光刻蚀电路图形；步骤三：在光刻蚀电路图形上电镀金层；步骤四：在键合焊盘处光刻转接层电镀窗口；步骤五：电镀窗口局部电镀镍层；步骤六：采用铝丝将电镀镍层与铝焊盘相连接。