发明名称 高功率型发光二极体模组结构及其制作方法
摘要 一种高功率型发光二极体模组结构及其制作方法,系至少包括一模组基板及一发光二极体元件,且该模组基板系包含一散热基板及一多层线路,该散热基板并包括至少一凸起于该散热基板上表面之元件接合柱。其主要特征系在于该模组基板与该发光二极体元件之间并无任何低导热系数之介电层或树脂阻隔,使该发光二极体元件之主散热途径(Thermal Pathway)系以直接无阻隔地接合于该模组基板之元件接合柱上,因此可有效将热源由该散热基板导出;另外,环绕该元件接合柱之多层线路更可提供模组内主、被动元件电性相连所需之绕线,进而增强设计之能性以达成高度模组系统化之目的,系为一种具有高可靠度、高设计弹性、高散热性且具低成本之发光二极体模组结构及其制作方法者。
申请公布号 TWI425684 申请公布日期 2014.02.01
申请号 TW098113423 申请日期 2009.04.23
申请人 钰桥半导体股份有限公司 台北市松山区延寿街10号 发明人 王家忠;林文强
分类号 H01L33/64;H05K1/02;H05K3/46 主分类号 H01L33/64
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址 台北市松山区延寿街10号
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