发明名称 | 用于使用相似材料结的薄膜光伏电池的方法和结构 | ||
摘要 | 本发明提供了一种用于形成薄膜光伏装置的方法。该方法提供包括表面区域的透明基板。第一电极层覆盖表面区域。形成铜层覆盖第一电极层并且形成铟层覆盖铜层以形成多层结构。在包含含硫物质的环境中至少使多层结构经受热处理以形成本体铜铟二硫化物。本体铜铟二硫化物材料具有这样的表面区域,其特征在于,贫铜表面区域具有小于约0.95∶1的铜与铟的原子比和n-型杂质特性。不包括贫铜表面区域的本体铜铟二硫化物材料形成吸收剂区域,而贫铜表面区域形成了用于薄膜光伏装置的至少一部分窗口区域。 | ||
申请公布号 | CN102210026B | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
申请号 | CN200980144974.4 | 申请日期 | 2009.11.20 |
申请人 | 思阳公司 | 发明人 | 霍华德·W·H·李 |
分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
主权项 | 一种用于形成薄膜光伏装置的方法,所述方法包括:提供包括表面区域的透明基板;形成覆盖所述表面区域的第一电极层;形成覆盖所述第一电极层的铜层;形成覆盖所述铜层的铟层以形成多层结构;在包含含硫物质的环境中至少使所述多层结构经受热处理工艺;至少由所述多层结构的处理工艺形成本体铜铟二硫化物材料,所述本体铜铟二硫化物材料具有表面区域,其特征在于,贫铜表面区域包括小于0.95:1的铜与铟原子比,所述贫铜表面区域具有n‑型杂质特性,不包括所述贫铜表面区域的本体铜铟二硫化物材料形成吸收剂区域,而所述贫铜表面区域形成至少一部分窗口区域;形成覆盖具有n‑型杂质特性的贫铜表面区域的高电阻率透明材料,所述高电阻率透明层包括具有本征半导体特性的半导体材料;以及形成覆盖所述高电阻率透明层的具有p‑型杂质特性的第二电极层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |