| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种垂直沟道晶体管，所述垂直沟道晶体管包括：柱体，所述柱体形成在衬底之上；以及栅电极，所述栅电极形成在柱体的侧壁上，其中，所述柱体包括：源极区、在源极区之上的垂直沟道区、在垂直沟道区之上的漏极区、以及插入在垂直沟道区与漏极区之间的泄漏防止区。 | ||
| 申请公布号 | CN103545373A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310011310.9 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 赵兴在 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 石卓琼;俞波 |
| 主权项 | 一种垂直沟道晶体管，包括：柱体，所述柱体形成在衬底之上；以及栅电极，所述栅电极形成在所述柱体的侧壁上，其中，所述柱体包括：源极区、在所述源极区之上的垂直沟道区、在所述垂直沟道区之上的漏极区以及插入在所述垂直沟道区与所述漏极区之间的泄漏防止区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||