发明名称 |
一种浅沟槽隔离结构的形成方法 |
摘要 |
本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法,通过SACVD工艺形成第一氧化层后,执行干法刻蚀工艺消除第一氧化层的脆弱面,然后再通过SACVD工艺形成第二氧化层,由此形成的浅沟槽隔离结构的隔离效果好,包含浅沟槽隔离结构的半导体器件的稳定性好,不易发生漏电、击穿。另外,增加氢气钝化工艺,所述氢气钝化工艺可消除薄膜表面的不饱和键,从而使后续工艺的沉积速率稳定,并最终提高薄膜厚度均匀性。此外,采用氧气等离子体处理工艺,利用O2等离子体有效地将结构表面和表层的氢键去除,以消除后续制程沉积速率的Q-time效应,从而使其在后续制程沉积之前更加稳定。 |
申请公布号 |
CN103545243A |
申请公布日期 |
2014.01.29 |
申请号 |
CN201310565677.5 |
申请日期 |
2013.11.13 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
郑春生;张文广 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种浅沟槽隔离结构的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内形成有若干隔离沟槽;通过SACVD工艺在所述半导体衬底上形成第一氧化层,所述第一氧化层填满所述隔离沟槽;执行干法回刻蚀工艺,在所述第一氧化层中形成一凹口;执行氢气钝化工艺;执行氧气等离子体处理工艺;通过SACVD工艺在所述第一氧化层上形成第二氧化层;以及平坦化所述第一氧化层和第二氧化层,形成浅沟槽隔离结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |