| 发明名称 | 用于形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于形成半导体器件的方法。该方法包括提供晶圆堆叠，该晶圆堆叠具有主水平表面、相对表面、埋入介电层、从埋入介电层向主水平表面延伸的半导体晶圆、和从埋入介电层向相对表面延伸的处理晶圆；将深垂直沟槽刻蚀进半导体晶圆中至少到达埋入介电层，其中，埋入介电层被用作刻蚀停止；形成垂直晶体管结构，包括在半导体晶圆中形成第一掺杂区；在主水平表面上形成与第一掺杂区欧姆接触的第一金属化层；去除处理晶圆以暴露出埋入介电层；以及掩蔽刻蚀埋入介电层，以在与主水平表面相对的后表面上部分暴露出半导体晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN103545251A | 申请公布日期 | 2014.01.29 |
| 申请号 | CN201310293980.4 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 弗朗茨·赫尔莱尔;安德烈亚斯·迈塞尔 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供晶圆堆叠，所述晶圆堆叠具有主水平表面、相对表面、埋入介电层、从所述埋入介电层向所述主水平表面延伸的半导体晶圆、和从所述埋入介电层向所述相对表面延伸的处理晶圆；将深垂直沟槽刻蚀进所述半导体晶圆中至少到达所述埋入介电层，其中，所述埋入介电层被用作刻蚀停止；形成垂直晶体管结构，包括在所述半导体晶圆中形成第一掺杂区；在所述主水平表面上形成与所述第一掺杂区欧姆接触的第一金属化层；去除所述处理晶圆以暴露出所述埋入介电层；以及掩蔽刻蚀所述埋入介电层，以在与所述主水平表面相对的后表面上部分暴露出所述半导体晶圆。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||