发明名称 处理多晶硅还原尾气的方法和系统
摘要 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统,该方法包括:将多晶硅还原尾气进行除尘处理,以便得到经过除尘的还原尾气;将经过除尘的还原尾气进行冷凝处理,以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气;将经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理,以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气;将经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理和脱吸处理,以便得到氢气和包含氯硅烷和氯化氢的混合气体;将包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理,以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。
申请公布号 CN103539069A 申请公布日期 2014.01.29
申请号 CN201310553735.2 申请日期 2013.11.08
申请人 中国恩菲工程技术有限公司 发明人 司文学;严大洲;肖荣晖;汤传斌;杨永亮
分类号 C01B3/50(2006.01)I;C01B33/107(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I 主分类号 C01B3/50(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 宋合成
主权项 一种处理多晶硅还原尾气的方法,其特征在于,包括:将所述多晶硅还原尾气进行除尘处理,以便得到经过除尘的还原尾气;将所述经过除尘的还原尾气进行冷凝处理,以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气;将所述经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理,以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气;将所述经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理,以便得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的吸附剂;将所述含有氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱吸处理,以便得到包含氯硅烷和氯化氢的混合气体;将所述包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理,以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。
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