发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体装置,能够在不使散热性恶化的情况下使装置整体的横向宽度缩短,并且,能够使各晶体管的特性均一。半导体衬底(1)由4H-SiC、6H-SiC、GaN、蓝宝石、ZnO、AlN、BeO等六方晶体构成。在该半导体衬底(1)的c面上设置有晶体管(2)、(3)。晶体管(2)、(3)的源极电极(4)、漏极电极(5)以及栅极电极(6)分别连接。在从与半导体衬底(1)的c面垂直的方向观察的俯视图中,晶体管(2)、(3)的栅极电极(6)彼此所成的角度是60度或120度。 |
申请公布号 |
CN103531587A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310276288.0 |
申请日期 |
2013.07.03 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
加茂宣卓 |
分类号 |
H01L27/088(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/088(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
闫小龙;王忠忠 |
主权项 |
一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体衬底,由六方晶体构成;以及多个晶体管,设置在所述半导体衬底的c面上,所述多个晶体管的源极电极彼此连接,所述多个晶体管的漏极电极彼此连接,所述多个晶体管的栅极电极彼此连接,在从与所述半导体衬底的所述c面垂直的方向观察的俯视图中,所述多个晶体管的所述栅极电极的延伸方向彼此所成的角度是60度或者120度。 |
地址 |
日本东京都 |