片状纳米形貌和带状纳米形貌的可控六方相In₂Se₃的制备方法

摘要

片状纳米形貌和带状纳米形貌的可控六方相In2Se3的制备方法，其中片状纳米形貌的In2Se3的制备方法是：A、将基片超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室，B、在氩气气氛下用In2Se3靶材进行70-80秒的磁控溅射，溅射功率为4-8W/cm2，衬底温度为350-370℃。带状纳米形貌的In2Se3的制备方法则是：A、B两步操作后，再将衬底温度升高至基片的软化温度，纵向加机械压力，使基片发生曲率半径为3～50m的弯曲，并持续8-12min；然后再次沉积200-250秒。该方法能制备出具有完整纳米片状形貌和带状形貌的In2Se3，且其制备效率高，成本低，适合于工业化生产。

主权项

一种片状纳米形貌的可控六方相In2Se3的制备方法，包括以下步骤：A、将基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中各经过10‑20分钟的超声清洗，然后用热氮气干燥后放入磁控溅射设备的溅射室；B、在磁控溅射靶枪上安装纯度为99.99%的In2Se3靶，铟硒原子百分比为2:3，调整溅射靶枪到基片的距离为5‑7厘米，将溅射室抽真空至气压小于2×10‑4Pa，再通入纯度为99.995%的氩气；调节溅射工作气压为0.4‑0.7Pa，溅射功率为4‑8W/cm2，衬底温度为350‑370℃，待辉光稳定后，沉积70‑80秒，即得到片状纳米形貌的可控六方相In2Se3。