| 发明名称 | 用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅 | ||
| 摘要 | 用作CMOS图像传感器ARC层的多孔硅。提供一种半导体器件。该半导体器件包括通过衬底支撑的金属化层，设置在金属化层上方的二极管和部分掺杂的硅层，设置在二极管和部分掺杂的硅层上方的缓冲层；以及设置在缓冲层上方的抗反射涂层，该抗反射涂层由多孔硅形成。 | ||
| 申请公布号 | CN103515400A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210439407.5 | 申请日期 | 2012.11.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 丁世汎;江彦廷;王俊智 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：金属化层，通过衬底支撑；二极管和部分掺杂的硅层，设置在所述金属化层的上方；缓冲层，设置在所述二极管和所述部分掺杂的硅层的上方；以及抗反射涂层，设置在所述缓冲层的上方，所述抗反射涂层由多孔硅形成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||