一种大功率LED底座的制备方法和大功率LED底座

摘要

本发明提供了一种大功率LED底座的制备方法，包括以下步骤：S1、对氮化铝陶瓷基板的表面进行改性，然后在改性层表面镀氧化亚铜层和铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，曝光显影蚀刻后得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化；S4、使陶瓷电路板与铜基座贴合，然后在惰性气氛中进行1064-1080℃下热处理，冷却后在金属化线路表面继续金属化，得到大功率LED底座。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的大功率LED底座。本发明提供的制备方法制备得到的大功率LED底座，散热性能好，陶瓷电路板的金属层与氮化铝陶瓷基板具有良好的结合力，同时陶瓷电路板整体与铜基座也具有良好的结合力。

主权项

一种大功率LED底座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在氮化铝陶瓷基板上下两个表面均覆盖一层浆料，固化后在氮化铝陶瓷基板上下两个表面均形成改性层；所述浆料中含有无机粉体和有机溶剂，所述无机粉体中含有氧化亚铜粉、铜粉、氧化铜粉中的一种或多种；S2、在至少一个表面的改性层上镀一层氧化亚铜层，然后在氧化亚铜层表面继续镀铜层，得到表面覆铜陶瓷；S3、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行热处理，热处理温度为1064‑1080℃；然后进行曝光显影蚀刻，得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S4、将铜基座表面进行氧化，得到具有微氧化结合面的铜基座；S5、使陶瓷电路板具有金属化线路的一面向外，将陶瓷电路板的另一面与铜基座的微氧化结合面贴合，然后在惰性气氛中进行热处理，热处理温度为1064‑1080℃，冷却后在金属化线路的表面继续金属化，得到所述大功率LED底座。