| 摘要 |
一些实施例包括形成半导体构造之方法。可形成交替之n型掺杂材料层与p型掺杂材料层。可将该等交替层图案化成由开口彼此隔开之复数个垂直行。可用隧道介电材料、电荷储存材料及阻挡介电材料来加衬里于该等开口。可在该等经加衬里开口内形成交替之绝缘材料层与导电控制闸极材料层。一些实施例包括形成NAND单元胞之方法。可形成交替之n型材料行与p型材料行。可用一隧道介电材料层、一电荷储存材料层及一阻挡介电材料层来加衬里于该等行。可在该等经加衬里行之间形成交替之绝缘材料层与导电控制闸极材料层。一些实施例包括半导体构造，且一些实施例包括NAND单元胞。 |
