| 摘要 |
本发明提供关于半导体封装用的焊料球及具有此焊料球之电子构件，即使是近年之直径250μm以下的焊料球，也可以确保充分热疲劳特性之半导体封装用焊料球及具有此焊料球之电子构件。此半导体封装用焊料球以及使用焊料球之电子构件，其为以Sn为主体，含有Ag 0.1～2.5质量%，Cu 0.1～1.5质量%，以及Mg、Al及Zn之中1种或2种以上总计0.0001～0.005质量%之焊料合金形成，其特征在于：该焊料球的表面，具有厚度1～50nm的非晶质相，前述非晶质相含有Mg、Al及Zn之中1种或2种以上，以及O及Sn。 |
