Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-LED

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer lichtabgebenden Halbleiter-Vorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Strahlen eines Lasers in ein Substrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche die entgegengesetzt zueinander angeordnet sind, um wenigstens eine Laserbestrahlungsfläche auf dem Substrat auszubilden. Auf dem Substrat wird eine lichtabgebende Struktur mit einer ersten leitfähigen Halbleiterschicht, einer aktiven Schicht und einer zweiten leitfähigen Halbleitersicht ausgebildet. Die lichtabgebende Struktur und das Substrat werden an einer Stelle entsprechend der Laserbestrahlungsfläche des Substrats in einer oberen Oberfläche der lichtabgebenden Struktur geschnitten, um die lichtabgebende Struktur und das Substrat in einzelne Vorrichtungseinheiten zu vereinzeln.