| 发明名称 | 制造无势垒半导体存储器装置的方法 | ||
| 摘要 | 用于制造集成半导体存储器装置的方法,尤其适合于采用各种铁电材料作为存储电介层,其中在析出存储电介层之后才制作介于存储电容器的一个电极和一个选择晶体管之间的一个导电连接,以及按此制造方法制造的半导体存储器装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1232574A | 申请公布日期 | 1999.10.20 |
| 申请号 | CN97198397.6 | 申请日期 | 1997.09.11 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | F·欣特迈尔;C·马祖雷－埃斯佩佐 |
| 分类号 | H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/8247 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
| 主权项 | 1．用于制造集成半导体存储器装置的方法，具有以下方法步骤：-准备就绪一个由各存储晶体管(2)组成的含有一个绝缘层(10)的装置，通向各选择晶体管(2)的各源区(4)的各接点孔(12)位于此绝缘层中，在此各第一接点插头(16)位于这些接点孔中；-敷设至少一个第一电极(18)到绝缘层(10)的表面(20)上，其中，第一电极(18)如此地具有各缺口(17)，以致于暴露各第一接点插头(16)的各表面(19)以及绝缘层(10)表面(20)的界靠到这些接点孔(12)上的各区；-析出一个电介质层(22)；-析出由电极材料制的一个第二层；-结构化由制作各第二电极(24)用的电极材料制的第二层；-暴露各第一接点插头(16)；-如此地在各暴露的第一接点插头之上制造各第二接点插头(28)，以致于各第二电极(24)中的一个是与各第一接点插头(16)中的各一个导电连接的。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||