| 主权项 |
1.一种太阳电池之制造方法,其步骤包括:(a)提供一具有第一表面和第二表面之P型矽基底;(b)施一处理使该第一表面形成粗糙状;(c)选择性地将一N+型杂质扩散源披覆于该半导体基底上;(d)提供一N-型杂质扩散源,并使其与该N+型杂质扩散源一同经由该第一表面扩散进入该P型矽基底内,形成一包含有一浅接面深度之N-型杂质扩散区和一深接面深度之N+型杂质扩散区之N型杂质扩散区;(e)去除位在该第一表面上之该N+型杂质扩散源;(f)形成一抗反射层于该第一表面上;(g)于该抗反射层和该第二表面上分别形成至少一个对准于该深接面深度之N+型杂质扩散区的第一电极和第二电极;以及(h)施一烧结处理,使得该第一电极穿过该抗反射层,并与该深接面深度之N+型杂质扩散区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(b)可藉由酸硷溶剂的清洗或者蚀刻程序来完成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该N+型杂质扩散源是磷胶。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该N+型杂质扩散源之披覆方式可选自网印、罩幕或微影蚀刻其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该N-型杂质扩散源是POCl3。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(d)是以高温扩散法进行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该深接面深度的N型杂质扩散区内之杂质浓度系大于1020atoms/cm3。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该浅接面深度之N型杂质扩散区之杂质浓度系介于1017-1019atoms/cm3。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(e)是以氢氟酸溶液去除该N型杂质扩散源。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该抗反射层走出氧化钛、氧化钽或氮化钛所构成。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该抗反射层是利用蒸镀法或气相沈积法所形成。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一、第二电极是由导电胶所构成。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该导电胶是选自银胶、铝胶、钛胶或铂胶构成族群其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中构成该第一、第二电极之该导电胶是以网印方式形成。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤(h)之烧结处理是在红外线高温炉内进行。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该烧结处理之温度为500℃-1200℃,且烧结之时间为0.1-2分。17.一种太阳电池之制造方法,其步骤包括:(a)提供一具有第一表面和第二表面之N型矽基底;(b)施一处理使该第一表面形成粗糙状;(c)选择性地将一P型杂质扩散源坡覆于该半导体基底上;(d)提供一P型杂质扩散源,并使其与该P型杂质扩散源一同经由该第一表面扩散进入该N型矽基底内,形成一包含有一浅接面深度之P型杂质扩散区和一深接面深度之P型杂质扩散区之P型杂质扩散区;(e)去除位在该第一表面上之该P型杂质扩散源;(f)形成一抗反射层于该第一表面上;(g)于该抗反射层和该第二表面上分别形成至少一个对准于该深接面深度之P型杂质扩散区的第一电极和第二电极;以及(h)施一烧结处理,使得该第一电极穿过该抗反射层,并与该深接面深度之P型杂质扩散区。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该步骤(b)可藉由氢氟酸的清洗或者蚀刻程序来完成。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该P型杂质扩散源是硼胶或铝胶。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该P型杂质扩散源之坡覆方式可达自网印、罩幕或微影蚀刻其中之一。21.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该P-型杂质扩散源是选自含硼或含铝的材料。22.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该步骤(d)是以高温扩散法进行。23.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该深接面深度的P型杂质扩散区内之杂质浓度系大于1020atorns/cm3。24.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该浅接面深度之P型杂质扩散区之杂质浓度系介于1017-1019atoms/cm3。25.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该步骤(e)是以氢氟酸溶液去除该P型杂质扩散源。26.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该抗反射层是由氧化钛、氧化钽或氮化钛所构成。27.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该抗反射层是利用蒸镀法或气相沈积法所形成。28.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一、第二电极是由导电胶所构成。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该导电胶是选自银胶、铝胶、钛胶或铂胶构成族群其中之一。30.如申请专利范围第28项所述之方法,其中构成该第一、第二电极之该导电胶是以网印方式形成。31.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该步骤(h)之烧结处理是在红外线高温炉内进行。32.如申请导利范围第31项所述之方法,其中该烧结处理之温度为500℃-1200℃,且烧结之时间为0.1-2分。图式简单说明:第一图A-第一图D显示的是习知一种太阳电池之剖面制程。第二图A-第二图F显示的是根据本发明之一较佳实施例的剖面制程。 |
