Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen mit Ruthenium beschichtetem Kupfer

摘要

Es werden Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen bereitgestellt. Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung ein Abscheiden einer eine Ebene festlegenden dielektrischen Schicht. Gemäß dem Verfahren wird die dielektrische Schicht geätzt, um Gräben zu bilden. Dann wird eine die dielektrische Schicht überlagernde Ruthenium umfassende Schicht abgeschieden. Die Gräben werden mit einem Kupfer umfassenden Metall gefüllt. Das Verfahren umfasst ein Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls in jedem Graben, um zwischen dem Kupfer umfassenden Metall und der Ebene einen Bereich festzulegen. Der Bereich wird mit einer Deckschicht gefüllt. Die Schichten werden dann wenigstens bis zu der Ebene planarisiert.