矽烧结体及其制造方法

摘要

一种矽烧结体之制造方法，其特征在于：使得矽粉末于减压下、1000～1300℃之范围进行烘烤来脱酸，其次于1200～1420℃之范围、面压200kgf／cm^2以上做热压，进而在1200～1420℃之范围、压力1000大气压以上进行HIP处理。可提供一种即使是厚度超过5mm之大型矩形或圆盘状靶仍具备99％以上之高密度、强度显着提升之靶等之烧结体及其制造方法。