发明名称 |
一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法,该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线,所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜,但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后,将其放入一定浓度的酸溶液中,清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明,硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进,电池转换效率有较大提高,对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。 |
申请公布号 |
CN103489941A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310459476.7 |
申请日期 |
2013.09.25 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨萍;曾湘波;谢小兵;张晓东;李浩;王占国 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种硅薄膜太阳电池,包括硅纳米线阵列结构,该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线,所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜,其特征在于:所述硅纳米线的顶端不具有所述金属薄膜的金属材料。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |