发明名称 一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法,该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线,所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜,但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后,将其放入一定浓度的酸溶液中,清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明,硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进,电池转换效率有较大提高,对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。
申请公布号 CN103489941A 申请公布日期 2014.01.01
申请号 CN201310459476.7 申请日期 2013.09.25
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 杨萍;曾湘波;谢小兵;张晓东;李浩;王占国
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种硅薄膜太阳电池,包括硅纳米线阵列结构,该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线,所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜,其特征在于:所述硅纳米线的顶端不具有所述金属薄膜的金属材料。
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