| 发明名称 |
发光二极管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其中，所述发光二极管进一步包括一金属陶瓷层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并接触。本发明发光二极管光取出效率较高。 |
| 申请公布号 |
CN103474533A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
| 申请号 |
CN201210185718.3 |
申请日期 |
2012.06.07 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于：所述发光二极管进一步包括一金属陶瓷层设置于所述第二半导体层远离基底的表面并与该表面接触。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
