像素电容器

摘要

一种技术包括：形成装置的横向延伸的切换电路，用于控制所述装置的像素导体(11)的重叠的横向延伸的阵列；在所述切换电路之上经由第一绝缘区域(7)形成导电的横向延伸的图案化的屏蔽器(8)，所述图案化的屏蔽器(8)限定用于收容所述切换电路与所述像素导体(11)的阵列之间的导电的层间连接件(10)的孔(28)；并且其后：在所述图案化的屏蔽器(8)之上形成第二绝缘区域(9)，在所述图案化的屏蔽器(8)之上经由所述第二绝缘区域(9)形成用于与所述图案化的屏蔽器(8)电容性耦合的所述像素导体(11)的阵列，在所述图案化的屏蔽器中限定的所述孔(28)的位置处形成至少通过所述第一和第二绝缘区域的贯通孔，并且在所述贯通孔中形成所述层间连接件(10)；以及其中所述图案化的屏蔽器(8)被配置为使得在像素导体(11)相对于切换电路的横向位置的一个范围内像素导体(11)的阵列与下层的导电元件(8)之间的交迭的面积基本上恒定，所述范围在第一方向上大于所述第一方向上的像素导体(11)的节距(P)的40％。

主权项

一种方法，包括：形成装置的横向延伸的切换电路，用于控制所述装置的像素导体的重叠的横向延伸的阵列；在所述切换电路之上经由第一绝缘区域形成导电的横向延伸的图案化的屏蔽器，所述图案化的屏蔽器限定用于收容所述切换电路与所述像素导体的阵列之间的导电的层间连接件的孔；并且其后：在所述图案化的屏蔽器之上形成第二绝缘区域，在所述图案化的屏蔽器之上经由所述第二绝缘区域形成用于与所述图案化的屏蔽器电容性耦合的所述像素导体的阵列，在所述图案化的屏蔽器中限定的所述孔的位置处形成至少通过所述第一和第二绝缘区域的贯通孔，并且在所述贯通孔中形成所述层间连接件；以及其中所述图案化的屏蔽器被配置为使得在像素导体相对于切换电路的横向位置的一个范围内像素导体的阵列与下层的导电元件之间的交迭的面积基本上恒定，所述范围在第一方向上大于所述第一方向上的像素导体的节距的40％。