发明名称 |
V波段行波管输能结构及其制造方法 |
摘要 |
一种V波段行波管输能结构,属于真空电子器件领域,输能结构上部为利于配合焊接的帽形波导法兰,与波导法兰相连的是底部呈斜坡渐变形的波导底及与波导底相焊接的波导盖,它们的下部连有杆形输能内导体及三通一体化转换头。流程步骤为:初步确定波导输能结构零部件尺寸大小;建立三维输能结构模型,模拟和优化,确定结构参数尺寸;输能结构各零部件加工制造;零部件去油、酸洗;将各部件进行工艺装配,银铜焊料氢炉焊接,测量输能结构反射电压驻波比。该方法降低输能结构反射电压驻波比,有利于提高行波管效率,该输能结构工作带宽5GHz内反射电压驻波比降低到1.5以下。 |
申请公布号 |
CN103474316A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310401770.2 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十二研究所 |
发明人 |
李力;瞿波;冯进军;尚艳华;赵青平 |
分类号 |
H01J23/36(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J23/36(2006.01)I |
代理机构 |
工业和信息化部电子专利中心 11010 |
代理人 |
李勤媛 |
主权项 |
一种V波段行波管输能结构,其特征在于,输能结构上部为利于配合焊接的帽形波导法兰,与波导法兰相连的是底部呈斜坡渐变形的波导底及与波导底相焊接的波导盖,它们的下部连有杆形输能内导体及三通一体化转换头。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路13号 |