| 摘要 |
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung einer Diode und eine Diode die nach dem Verfahren hergestellt wurde. Aus dem von einer Halbleiterkristallscheibe wird ein PN- oder NP-Übergang erzeugt, der sich flächig über die Oberseite 3 der Halbleiterkristallscheibe 10 erstreckt. Es werden Zerteilungskanten 6 senkrecht zur Oberseite 3 der Halbleiterkristallscheibe 10 ausgebildet, die sich über den PN- oder NP-Übergang hinweg erstrecken. Das Zerteilen der Halbleiterkristallscheibe 10 erfolgt, indem ausgehend von einer Störung 11 durch lokales Aufheizen 11 und lokales Abkühlen 13 der Halbleiterkristallscheibe 13 eine Rissausbreitung ausgehend von der Störung 11 erfolgt. Der sich so ausbildende Trennriss erfolgt bevorzugt entlang von Kristallebenen des Halbleiterkristalls wodurch es nicht durch Ausbildungen von Störstellen im Bereich des PN- oder NP-Überganges kommt. |
