| 摘要 |
<p>본 발명의 반도체 결정 성장 장치는 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 반응관; 상기 반응관 내의 제1 영역에 배치되어 있고, 반도체층을 형성하기 위한 금속 원료가 공급되는 금속 원료 공급부; 상기 반응관의 제2 영역에 배치되어 있고, 기판이 장착되는 기판 장착부; 상기 반응관의 상기 제1 영역 주변에 설치되어 있는 RF 히터; 상기 반응관의 상기 제2 영역 주변에 설치되어 있는 퍼니스 히터; 상기 반응관에 복수의 가스를 공급하는 복수의 가스 공급부; 상기 복수의 가스 공급부로부터 상기 반응관까지 연장되어 상기 복수의 가스를 전달하는 복수의 가스 공급관을 포함한다.</p> |
