| 发明名称 | PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合 | ||
| 摘要 | 本发明涉及PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合。实施例包含形成第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈于基板上、形成氮化物衬垫及氧化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧、于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧执行晕/延伸植入、形成氧化物衬垫及氮化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的该氧化物间隙壁上；形成深源极/漏极区域在该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；形成氧化物硬掩模于该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈之上；形成嵌入式硅锗于该第一高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；以及移除该氧化物硬掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN103456641A | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201310202981.3 | 申请日期 | 2013.05.28 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | J·亨治尔;S·Y·翁;S·弗莱克豪斯基;T·沙伊普 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成第一及第二高介电常数金属栅极(HKMG)栅极堆栈于基板上；形成氮化物衬垫及氧化物间隙壁于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的各侧上；于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的各侧执行晕/延伸植入；形成氧化物衬垫及氮化物间隙壁于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的该氧化物间隙壁上；形成深源极/漏极区域在该第二HKMG栅极堆栈的相反侧上；形成氧化物硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈之上；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相反侧上；以及移除该氧化物硬掩模。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||