| 发明名称 | 具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102427052B | 申请公布日期 | 2013.12.18 |
| 申请号 | CN201110343183.3 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王学良;张峰;叶斐;赵常盛;王曦 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 孙佳胤;翟羽 |
| 主权项 | 一种具有高效复合中心的SOI材料衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：先在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素，并在第二温度下退火；再在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质并在第一温度下退火。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||